 :: Главная > Web-сервисы > |
|
ПОСЛЕДНИЕ ВЕРСИИ ПРОГРАММ
"Магистраль", версия 509
"Мастер СВХ", версия 349
"Программа САО ГТД.ЭД", версия 1490
"Магистр-Контроль", версия 1057
"Магистр-Информ", версия 1323
"Магистр-Декларант.ЭД", версия 1618
"Магистр-Эксперт", версия 409
"Справочно-информационная система декларанта", версия 1338
"Шлюз ЭД", версия 14
"Мастер Сделок", версия 84
"Агент Доставки", версия 34
"Монитор ЭПС", версия 4.0.0.0
Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование
II.13.1. Оптика
II.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических
зеркал (отражателей)
II.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или произ-
водства деформируемых зеркал с непрерывными либо
многоэлементными поверхностями и специальными
компонентами, способными динамически менять рас-
положение элементов поверхности с частотой свыше
100 Гц
II.13.1.1.2. Конструкция и технология производства сверхлег-
ких монолитных зеркал со средней эквивалентной
плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой
более 10 кг
II.13.1.1.3. Конструкция и технология производства сверхлег-
ких составных или пенных зеркальных структур со
средней эквивалентной плотностью менее 30
кг/кв.м и суммарной массой более 2 кг
II.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал ди-
аметром или с длиной большей оси более 100 мм и
с управлением лучом в полосе частот более 100 Гц
II.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства зеркал,
указанных в пунктах I.12.1.1.1 - I.12.1.4
II.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических
компонентов из селенида цинка (ZnSe) или сульфи-
да цинка (Zns) с передачей в диапазоне длин волн
свыше 3000 нм, но не более 25000 нм, имеющих од-
ну из следующих характеристик:
II.13.1.2.1. объем более 100 куб.см;
II.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и тол-
щина (глубина) более 20 мм и более
II.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оптичес-
ких компонентов из селенида цинка (ZnSe) или
сульфида цинка (Zns), указанных в пунктах
I.12.1.2 - I.12.1.2.2
II.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических
систем для космических применений
II.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических
элементов с эквивалентной плотностью менее чем
20% по сравнению с твердотельными пластинами той
же апертуры и толщины
II.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным
покрытием (однослойным, многослойным, металли-
ческим или диэлектрическим, проводящим, полупро-
водящим или изолирующим) или подложек с защитны-
ми пленками
II.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов зер-
кал для установки в космосе в оптические системы
с общей апертурой, эквивалентной или большей 1 м
II.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических
систем, изготовленных из композиционных материа-
лов с коэффициентом линейного теплового расшире-
ния равным, или меньшим 5х10_-6 в направлении
любой координаты
II.13.1.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства компо-
нентов оптических систем для космического приме-
нения, указанных в пунктах I.12.1.3 - I.12.1.3.4
II.13.1.5. Технология производства оптических фильтров
II.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для
длин волн более 250 нм, включающих многослойные
оптические покрытия и имеющих полосу пропускания
до половинной интенсивности до 1 нм включительно
и пиковую передачу 90% и более, или полосу про-
пускания до 0,1 нм включительно и пиковую пере-
дачу 50% и более
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.13.1.5.1 не
распространяется на технологию производства оп-
тических фильтров с постоянным воздушным зазором
или фильтров типа Лио
II.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для
длин волн более 250 нм, имеющих настраиваемость
в спектральном диапазоне 500 нм и более, мгно-
венную полосу пропускания 1,25 нм или менее, ус-
тановку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм или
лучше в пределах перестраиваемого спектрального
диапазона, однопиковый коэффициент пропускания
91% или более
II.13.1.5.3. Технология производства оптических переключате-
лей на конденсаторах (фильтрах) с полем обзора
30° или шире и временем отклика равным или менее
1 нс
II.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с
шириной полосы пропускания равной или меньшей 10
нм, полем обзора более 10° и разрешением свыше
0,75 пар линий на мм
II.13.1.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оптичес-
ких фильтров, указанных в пунктах I.12.1.4 -
I.12.1.4.3 и II.13.1.5.4
II.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры
оптического контроля
II.13.1.7.1. Конструкция и технология производства аппарату-
ры, специально разработанной для обеспечения ка-
чества поверхности или ориентации оптических
компонентов, указанных в пунктах I.12.1.3.1 или
I.12.1.3.3
II.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное
для проектирования или производства аппаратуры,
специально разработанной для обеспечения расчета
поверхности или ориентации оптических компонен-
тов,указанных в пункте I.12.1.5.1
II.13.1.7.3. Конструкция и технология производства аппарату-
ры, имеющей управление, слежение, стабилизацию
или подстройку резонатора с полосой частот рав-
ной или более 100 Гц и погрешностью 10 мкрад или
менее
II.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства аппара-
туры, указанной в пункте I.12.1.5.2
II.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых
подвесов с максимальным углом поворота 5°, шири-
ной полосы частот более 100 Гц, обладающих любой
из следующих характеристик:
II.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м, но
не более 1 м, чувствительность к угловым ускоре-
ниям более 2 рад/с_2, погрешность углового наве-
дения 200 мкрад или менее;
II.13.1.7.5.2. специально разработанных для юстировки фазиро-
ванных решеток или фазированных систем сегмент-
ных зеркал, состоящих из зеркал с диаметром сег-
мента или его большей полуоси 1 м или более, об-
ладающих чувствительностью к угловым ускорениям
более 0,5 рад/с_2 и погрешностью углового наве-
дения 200 мкрад или менее
II.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства кардано-
вых подвесов, указанных в пунктах I.12.1.5.3 -
I.12.1.5.3.2
II.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры
для измерения абсолютного значения отражательной
способности с погрешностью ё0,1% или менее
II.13.1.9. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства аппара-
туры для измерения абсолютного значения отража-
тельной способности с погрешностью ё0,1% или ме-
нее
II.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических по-
верхностей с общими потерями (поглощение и рас-
сеяние) менее чем 5х10_-3 и диаметром или длиной
большей оси 500 мм и более, требуемая для дости-
жения однородности оптических покрытий 99,5% или
лучше
II.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых оп-
тических компонентов с суммарной поверхностью
более 10 кв.м в год, или разовой продукции с
площадью более 1 кв.м и средне-квадратической
погрешностью обработки 1/10 длины волны на за-
данной длине волны
II.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с получе-
нием конечной среднеквадратической точности об-
работки поверхности лучше чем 10 нм на неплоских
поверхностях площадью более 0,5 кв.м
II.13.2. Конструкция и технология производства оптических
датчиков
II.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических
детекторов
Примечание
Экспортный контроль по пунктам II.13.2.1 -
II.13.2.1.4 не распространяется на конструкцию и
технологию производства германиевых или кремние-
вых фотодиодов
II.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических
детекторов для использования в космосе в виде
единичного элемента, линейки в фокальной плос-
кости или двух двумерных элементов, имеющих:
II.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300 нм и
отклик менее 0,1% относительно пикового отклика
на длине волны свыше 400 нм;
II.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 900
нм, но не более 1200 нм, и постоянную времени
отклика 95 нс или менее;
II.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн более 1200
нм, но не свыше 30000 нм
II.13.2.1.2. Конструкция и технология производства электрон-
но-оптических усилителей яркости и специальных
компонентов
II.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства электрон-
но-оптических усилителей яркости, имеющих пико-
вый отклик в диапазоне длин волн свыше 400 нм,
но не более 1050 нм, микроканальный анод для
электронного усилителя изображения с шагом от-
верстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм
и фотокатоды S-20, S-25, многощелевой фотокатод
или фотокатоды из GnAs или GaInAs
II.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально
разработанных компонентов для электронно-опти-
ческих усилителей яркости:
II.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов;
II.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или более
ламп с тлеющим разрядом на плате и шаг отверстий
(расстояние между центрами) менее 25 мкм;
II.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из GaAs или GaInAs
II.13.2.1.3. Конструкция и технология производства неэквидис-
тантных линейных или двумерных матриц в фокаль-
ной плоскости с одной из следующих характерис-
тик:
II.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 900 нм, но не бо-
лее 1050 нм, и постоянной времени отклика менее
0,5 нс;
II.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 1050 нм, но не бо-
лее 1200 нм, и постоянной времени 95 нс или
меньше;
II.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 1200 нм, но не бо-
лее 30000 нм
II.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных
или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов
или фототранзисторов вне фокальной плоскости с
пиковым откликом на длине волны более 1200 нм и
постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не
предназначенных для космических применений
Примечания:
1. Пункты II.13.2.1.3 - II.13.2.1.4 включают
конструкцию производства матриц фотопроводимости
и солнечных батарей
2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3 не
распространяется на конструкцию и технологию
производства кремниевых матриц в фокальной плос-
кости, многоэлементных (не более 16 элементов)
фотопроводящих элементов в оболочке или пироэ-
лектрических детекторов, использующих любой из
следующих материалов:
сульфид свинца;
сульфат триглицерина и его разновидности;
титанат циркония-лантана-свинца и его разновид-
ности;
танталат лития;
фторид поливиниллидена и его разновидности;
ниобат бария-стронция и его варианты;
селенид свинца
II.13.2.2. Конструкция и технология производства многос-
пектральных формирователей изображений для при-
менений в дистанционном зондировании, имеющих
любую из следующих характеристик:
II.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад;
II.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в диапа-
зоне длин волн свыше 400 нм, но не более 30000
нм, обеспечивающих данные изображения на выходе
в цифровом формате с использованием детекторов,
отличных от кремниевых и предназначенных для
космического применения или для воздушного бази-
рования
II.13.2.3. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для использования многоспектральных формиро-
вателей изображений, указанных в пунктах
I.12.2.2 - I.12.2.2.2
II.13.2.4. Конструкция и технология производства аппаратуры
формирования изображений непосредственного наб-
людения в видимом или инфракрасном диапазоне,
включающей одно из следующих устройств:
II.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для усиле-
ния яркости изображения, указанные в пункте
I.12.2.1.2.1;
II.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунк-
тах I.12.2.1.3 - I.12.2.1.3.3
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.13.2.4.2 не
распространяется на конструкцию и технологию
производства следующей аппаратуры с фотокатода-
ми, отличными от фотокатодов на GaAs или GaInAs:
промышленных или гражданских датчиков охраны,
систем учета или контроля дорожного или произ-
водственного движения;
медицинской аппаратуры;
промышленной аппаратуры для контроля, анализа
или сортировки материалов;
детекторов пламени для промышленных печей;
аппаратуры, специально разработанной для промыш-
ленного использования
II.13.2.5. Конструкция и технология производства специали-
зированных компонентов для оптических датчиков:
II.13.2.5.1. космического применения с криогенным охлаждени-
ем;
II.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным охлажде-
нием;
II.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем наработки
на отказ или средним временем между отказами
свыше 2500 ч;
II.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей Джоуля-Томсона с
диаметром отверстия менее 8 мм;
II.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков:
II.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или
структурно, или модифицированных путем покрытия,
с чувствительностью к акустическим, термическим,
инерционным, электромагнитным или ядерным эффек-
там;
II.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения длины
биений менее чем 50 мм (наибольшее двулучепре-
ломление)
II.13.3. Конструкция и технология производства камер
II.13.3.1. Конструкция и технология производства инструмен-
тальных камер
II.13.3.1.1. Конструкция и технология производства высокоско-
ростных записывающих кинокамер с любым форматом
пленки от 8 мм до 16 мм включительно, в которых
пленка движется в процессе записи и в которых
запись может производиться со скоростью свыше
13150 кадров в секунду
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.13.3.1.1 не
распространяется на конструкцию и технологию
производства кинокамер для гражданских целей
II.13.3.1.2. Конструкция и технология производства механичес-
ких высокоскоростных камер, в которых пленка не
движется, способных вести запись со скоростью
свыше 10_6 кадров в секунду для пленки шириной
35 мм, или для пропорционально более высоких
скоростей, более узкой пленки, или для пропорци-
онально меньших скоростей более широкой пленки
II.13.3.1.3. Конструкция и технология производства механичес-
ких или электронных камер-фотохронографов со
скоростью записи свыше 10 мм/мкс
II.13.3.1.4. Конструкция и технология производства электрон-
ных кадровых камер со скоростью свыше 10_6 кад-
ров в секунду
II.13.3.1.5. Конструкция и технология производства электрон-
ных камер, имеющих скорость электронного затвора
(скорость стробирования) менее 1 мкс на полный
кадр и время считывания, позволяющих получать
более чем 125 полных кадров в секунду
II.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображений
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.13.3.2 не расп-
ространяется на конструкцию и технологию произ-
водства телевизионных и видеокамер для телевиде-
ния
II.13.3.2.1. Конструкция и технология производства видеока-
мер, включающих твердотельные чувствительные
элементы, имеющие одну из следующих характерис-
тик:
II.13.3.2.1.1. более 4х10_6 активных пикселей на твердотельную
матрицу для монохромной (черно-белой) камеры;
II.13.3.2.1.2. более 4х10_6 активных пикселей на твердотельную
матрицу для цветных камер с тремя твердотельными
матрицами;
II.13.3.2.1.3. более 12х10_6 активных пикселей на твердотельную
матрицу для цветных камер с одной твердотельной
матрицей
II.13.3.2.2. Конструкция и технология производства сканирую-
щих камер и систем сканирующих камер, включающих
линейную решетку детекторов с более чем 8192
элементами на решетке, и с механическим сканиро-
ванием в одном направлении
II.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображения, включающих преобра-
зователь для усиления яркости изображения, ука-
занный в пункте I.12.2.1.2.1
II.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображения, включающих матрицы в
фокальной плоскости, указанные в пунктах
I.12.2.1.3 - I.12.2.1.3.3
II.13.4 Конструкция и технология производства лазеров,
компонентов, оптического оборудования для них
II.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых
лазеров
II.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных
лазеров, имеющих одну из следующих характерис-
тик:
II.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не превышающую
150 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс
или среднюю, или непрерывную мощность более 1
Вт;
II.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150 нм, но
не превышающую 190 нм, выходную энергию на им-
пульс, превышающую 1,5 Дж или среднюю, или неп-
рерывную мощность, превышающую 120 Вт;
II.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, превышающую 190
нм, но не более 360 нм, выходную энергию на им-
пульс, превышающую 10 Дж, или среднюю, или неп-
рерывную выходную мощность, превышающую 500 Вт;
II.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, превышающую 369
нм, выходную энергию на импульс, превышающую 1,5
Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощ-
ность более 30 Вт
II.13.4.1.2. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства эксимер-
ных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.1 -
I.12.4.1.1.4
II.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на
парах металлов:
II.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства медных
(Cu) лазеров со средней или непрерывной выходной
мощностью более 20 Вт;
II.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства золотых
(Au) лазеров со средней или непрерывной выходной
мощностью более 5 Вт;
II.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства натриевых
(Na) лазеров с выходной мощностью более 5 Вт;
II.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства бариевых
(Ba) лазеров со средней или непрерывной выходной
мощностью более 2 Вт
II.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на парах металлов, указанных в пунктах
I.12.4.1.2 - I.12.4.1.2.4
II.13.4.1.5 Конструкция и технология производства лазеров на
моноокиси углерода (CO) с:
II.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и им-
пульсной пиковой мощностью более 5 кВт;
II.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью более
5 кВт
II.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на основе моноокиси углерода, указанных в пунк-
тах I.12.4.1.3 - I.12.4.1.3.2
II.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на
двуокиси углерода (CO )с:
2
II.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10 кВт;
II.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью импульса
более 10 мкс, средней выходной мощностью свыше
10 кВт или импульсной пиковой мощностью более
100 кВт;
II.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью импульса,
равным или менее 10 мкс, энергией импульса более
5 Дж, импульсной пиковой мощностью свыше 2,5 кВт
или средней, или непрерывной выходной мощностью
более 2,5 кВт
II.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на двуокиси углерода, указанных в пунктах
I.12.4.1.4 - I.12.4.1.4.3
II.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических
лазеров:
II.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (HF) лазеров;
II.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых (DF) лазеров;
II.13.4.1.9.3. переходных лазеров:
II.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (O -I);
2
II.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных (DF-CO )
лазеров 2
II.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования и производства химических
лазеров, на которые наложены ограничения пункта-
ми I.12.4.1.5 - I.12.4.1.5.3.2
II.13.4.1.11. Конструкция и технология производства газораз-
рядных и ионных лазеров (на ионах криптона или
аргона), имеющих:
II.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и им-
пульсную пиковую мощность более 50 Вт;
II.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50 Вт
II.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования и производства газораз-
рядных и ионных лазеров, указанных в пунктах
I.12.4.1.6 - I.12.4.1.6.2
II.13.4.1.13. Конструкция и технология производства других га-
зовых лазеров за исключением азотных лазеров с:
II.13.4.1.13.1. длиной волны выходного излучения не более 150
нм, выходной энергией на импульс свыше 50 мДж,
импульсной пиковой мощностью более 1 Вт или
средней, или непрерывной выходной мощностью бо-
лее 1 Вт;
II.13.4.1.13.2. длиной волны выходного излучения более 150 нм,
но не более 800 нм, выходной энергией более 1,5
Дж на импульс, импульсной пиковой мощностью бо-
лее 30 Вт или средней, или непрерывной выходной
мощностью более 30 Вт;
II.13.4.1.13.3. длиной волны выходного излучения более 800 нм,
но не более 1400 нм, выходной энергией на им-
пульс более 0,25 Дж, импульсной пиковой мощ-
ностью более 10 Вт или средней, или непрерывной
выходной мощностью более 10 Вт;
II.13.4.1.13.4. длиной волны выходного излучения свыше 1400 нм и
средней или непрерывной мощностью более 1 Вт
II.13.4.1.14. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования и производства газовых
лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1 -
I.12.4.1.7.4
II.13.4.2. Конструкция и технология производства полупро-
водниковых лазеров
II.13.4.2.1. Конструкция и технология производства отдельных
полупроводниковых одномодовых лазеров с попереч-
ной модой, имеющих среднюю выходную мощность
свыше 100 мВт или длину волны более 1050 нм
II.13.4.2.2. Конструкция и технология производства отдельных
полупроводниковых многомодовых лазеров с попе-
речными модами или массивов лазеров с:
II.13.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на импульс и
импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт;
II.13.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощностью свыше
10 Вт;
II.13.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм
II.13.4.2.3. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства полупро-
водниковых лазеров, указанных в пунктах
I.12.4.2.1 - I.12.4.2.2.3
II.13.4.3. Конструкция и технология производства твердо-
тельных лазеров
II.13.4.3.1. Конструкция и технология производства перестраи-
ваемых твердотельных лазеров, имеющих следующие
характеристики:
II.13.4.3.1.1. длину волны излучения менее 600 нм, выходную
энергию более 50 мДж на импульс, импульсную пи-
ковую мощность более 1 Вт или среднюю, или неп-
рерывную выходную мощность более 1 Вт;
II.13.4.3.1.2. длину волны 600 нм или более, но не более 1400
нм, выходную энергию более 1 Дж в импульсе, им-
пульсную пиковую мощность свыше 20 Вт или сред-
нюю, или непрерывную выходную мощность свыше 20
Вт;
II.13.4.3.1.3. длину волны выходного излучения более 1400 нм,
выходную энергию свыше 50 мДж на импульс, им-
пульсную пиковую мощность более 1 Вт или сред-
нюю, или непрерывную выходную мощность более 1
Вт
Примечание
Пункт II.13.4.3.1. включает конструкцию и техно-
логию производства титаново-сапфировых(Ti:Al O ),
2 3
тулий - YAG, тулий-YSGG-александрит (Cr:BeAl O )
2 4
лазеров и лазеров с окрашенным центром
II.13.4.3.2. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства перест-
раиваемых твердотельных лазеров, указанных в
пунктах I.12.4.3.1 - I.12.4.3.1.3
II.13.4.3.3. Конструкция и технология производства неперест-
раиваемых лазеров
Примечание
Пункты II.13.4.3.3 - II.13.4.3.3.7.4 включают
конструкцию и технологию производства твердо-
тельных лазеров на атомных переходах
II.13.4.3.3.1. Конструкция и технология производства рубиновых
лазеров с выходной энергией более 20 Дж в им-
пульсе
II.13.4.3.3.2. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства рубино-
вых лазеров с выходной энергией более 20 Дж в
импульсе
II.13.4.3.3.3. Конструкция и технология производства лазеров на
неодимовом стекле:
II.13.4.3.3.3.1. лазеры с модуляцией добротности, имеющих выход-
ную энергию свыше 20 Дж, но не более 50 Дж в им-
пульсе, среднюю выходную мощность более 10 Вт
или выходную энергию свыше 50 Дж в импульсе;
II.13.4.3.3.3.2. лазеры без модуляции добротности, имеющих выход-
ную энергию свыше 50 Дж, но не более 100 Дж в
импульсе, среднюю выходную мощность более 20 Вт
или выходную энергию более 100 Дж в импульсе
II.13.4.3.3.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на неодимовом стекле, указанных в пунктах
I.12.4.3.2.2 - I.12.4.3.2.2.2
II.13.4.3.3.5. Конструкция и технология производства лазеров с
растворенным неодимом с длиной волны более 1000
нм, но не свыше 1100 нм:
II.13.4.3.3.5.1. лазеров с модуляцией добротности, импульсным
возбуждением и синхронизацией мод с длитель-
ностью импульса менее 1 нс, имеющих пиковую мощ-
ность более 5 ГВт, среднюю выходную мощность бо-
лее 10 Вт или импульсную энергию более 0,1 Дж;
II.13.4.3.3.5.2. лазеров с модуляцией добротности и синхронизаци-
ей мод с длительностью импульса равной или боль-
шей 1 нс:
II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением, имеющим пиковую мощность
более 100 МВт, среднюю выходную мощность более
20 Вт или импульсную энергию свыше 2 Дж;
II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением, имеющим пиковую мощ-
ность более 200 МВт, среднюю выходную мощность
более 50 Вт или импульсную энергию более 2 Дж
II.13.4.3.3.5.3. лазеров с импульсным возбуждением без модуляции
добротности, имеющих:
II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более
500 кВт или средней выходной мощностью более 150
Вт;
II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более
1 МВт или средней мощностью свыше 500 Вт
II.13.4.3.3.5.4. лазеров непрерывного возбуждения, имеющих:
II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более
500 кВт или средней, или непрерывной мощностью
свыше 150 Вт;
II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более
1 МВт или средней, или непрерывной мощностью
свыше 500 Вт
II.13.4.3.3.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
с растворенным неодимом, указанных в пунктах
I.12.4.3.2.3 - I.12.4.3.2.3.4.2
II.13.4.3.3.7. Конструкция и технология производства других не-
перестраиваемых лазеров, имеющих:
II.13.4.3.3.7.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию бо-
лее 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощ-
ность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную
выходную мощность более 1 Вт;
II.13.4.3.3.7.2. длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм,
выходную энергию более 1,5 Дж на импульс, им-
пульсную пиковую мощность более 30 Вт или сред-
нюю, или непрерывную мощность более 30 Вт;
II.13.4.3.3.7.3. длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм:
II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной
энергией более 0,5 Дж в импульсе импульсной пи-
ковой мощностью более 50 Вт или средней выходной
мощностью, превышающей 10 Вт для одномодовых ла-
зеров и 30 Вт для многомодовых лазеров;
II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с выходной
энергией более 2 Дж в импульсе, импульсной пико-
вой мощностью свыше 50 Вт или средней, или неп-
рерывной выходной мощностью более 50 Вт;
II.13.4.3.3.7.4. длиной волны более 1400 нм, выходной энергией
более 100 мДж в импульсе, импульсной пиковой
мощностью свыше 1 Вт или средней, или непрерыв-
ной мощностью более 1 Вт
II.13.4.3.3.8. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства непе-
рестраиваемых лазеров, указанных в пунктах
I.12.4.3.2.4 - I.12.4.3.2.4.4
II.13.4.4. Конструкция и технология производства лазеров на
красителях и других жидкостях, имеющих:
II.13.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию более
50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность
более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 1 Вт;
II.13.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свыше 800
нм, выходную энергию более 1,5 Дж в импульсе,
импульсную пиковую мощность свыше 20 Вт или
среднюю, или непрерывную выходную мощность более
20 Вт, или имеющие генератор одиночной продоль-
ной моды со средней выходной мощностью более 1
Вт и частотой повторения более 1 кГц при дли-
тельности импульса менее 100 нс;
II.13.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 1400 нм,
выходную энергию более 500 мДж в импульсе, им-
пульсную пиковую мощность более 10 Вт или сред-
нюю, или непрерывную выходную мощность более 10
Вт;
II.13.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию бо-
лее 100 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощ-
ность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную
выходную мощность более 1 Вт
II.13.4.5. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на красителях и других жидкостях, указанных в
пунктах I.12.4.4 - I.12.4.4.4
II.13.4.6. Конструкция и технология производства лазеров на
свободных электронах
II.13.4.7. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства лазеров
на свободных электронах
II.13.4.8. Конструкция и технология производства компонен-
тов для лазеров
II.13.4.8.1. Конструкция и технология производства зеркал,
охлаждаемых либо активным охлаждением, либо
трубчатой охладительной системой
II.13.4.8.2. Конструкция и технология производства оптических
зеркал или прозрачных, или частично прозрачных
оптических, или электрооптических компонентов
для использования в лазерах, подлежащих экспорт-
ному контролю
II.13.4.9. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства компо-
нентов лазеров, указанных в пунктах I.12.4.6 -
I.12.4.6.2
II.13.4.10. Конструкция и технология производства оптическо-
го оборудования
II.13.4.10.1. Конструкция и технология производства оборудова-
ния динамического измерения фазы волнового фрон-
та с более 50 позициями на волновом фронте луча
с:
II.13.4.10.1.1. частотой кадра равной или более 100 Гц и фазовой
дискриминацией 5% и более длины волны луча;
II.13.4.10.1.2. частотой кадра равной или более 1000 Гц и фазо-
вой дискриминацией 20% и более длины волны луча
II.13.4.10.2. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оборудо-
вания для динамического измерения фазы волнового
фронта, указанного в пунктах I.12.4.7.1 -
I.12.4.7.1.2
II.13.4.10.3. Конструкция и технология производства оборудова-
ния лазерной диагностики со способностью измере-
ния ошибок управления луча лазера сверхвысокой
мощности с точностью, равной или менее 10 мкрад
II.13.4.10.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оборудо-
вания лазерной диагностики, указанного в пункте
I.12.4.7.2
II.13.4.10.5. Конструкция и технология производства оптической
аппаратуры, узлов и компонентов для системы ла-
зера сверхвысокой мощности с фазированным сложе-
нием лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1
мкм (в зависимости от того, что меньше)
II.13.4.10.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства аппара-
туры, узлов и компонентов, указанных в пункте
I.12.4.7.3
II.13.4.10.7. Конструкция и технология производства защищенных
объективов для использования с системами лазеров
сверхвысокой мощности
II.13.4.10.8. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства защищен-
ных объективов для использования с системами ла-
зеров сверхвысокой мощности
II.13.4.11. Конструкция и технология производства специально
разработанного или модифицированного оборудова-
ния, включая инструменты, красители, контрольно-
измерительные приборы и другие специальные ком-
поненты и вспомогательные элементы:
II.13.4.11.1. для производства или осмотра:
II.13.4.11.1.1. магнитных систем лазеров на свободных электро-
нах;
II.13.4.11.1.2. фотоинжекторов лазеров на свободных электронах;
II.13.4.11.2. для юстировки в пределах требуемой погрешности
продольного магнитного поля лазеров на свободных
электронах
II.13.4.12. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства специ-
ально разработанного или модифицированного обо-
рудования, указанного в пунктах I.12.4.8 -
I.12.4.8.2
II.13.4.13. Технология производства или методы использования
специализированных диагностических инструментов
или мишеней в испытательных установках для испы-
таний лазеров сверхвысокой мощности либо испыта-
ний или оценки стойкости материалов, облучаемых
излучением таких лазеров
II.13.5. Конструкция и технология производства оптоволо-
конных кабелей связи, оптических волокон и спе-
циально разработанных компонентов и вспомога-
тельного оборудования:
II.13.5.1. Технология производства оптических волокон или
кабелей длиной свыше 50 м:
II.13.5.1.1. разработанных для функционирования в одномодовом
режиме;
II.13.5.1.2. способных выдерживать напряжение (механическое)
2х10_9 Н/кв.м или более в контрольном тесте
II.13.5.2. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оптичес-
ких волокон или кабелей, указанных в пунктах
I.12.5.1 - I.12.5.1.2
II.13.5.3. Конструкция и технология производства компонен-
тов и вспомогательного оборудования, специально
разработанных для оптических волокон или кабе-
лей, указанных в пункте I.12.5.1, за исключением
соединителей для использования с оптическими во-
локнами или кабелями, имеющими потери соединения
0,5 дБ или более
II.13.5.4. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства компо-
нентов и вспомогательного оборудования, указан-
ного в пункте I.12.5.2
II.13.5.5. Конструкция и технология производства оптоволо-
конных кабелей и вспомогательного оборудования,
разработанных для использования под водой (для
оптоволоконных соединителей и измерителей излу-
чения экспортный контроль осуществляется в соот-
ветствии с пунктами I.13.2.1.3 и I.13.2.3)
II.13.5.6. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства оптово-
локонных кабелей вспомогательного оборудования,
указанных в пункте I.12.5.3
II.13.5.7. Конструкция и технология производства кабеля из
волокон на основе соединений фтора или оптичес-
ких волокон с поглощением менее 4 дБ/км в диапа-
зоне длин волн более 1000 нм, но не более 3000
нм
II.13.5.8. Программное обеспечение, специально разработан-
ное для проектирования или производства кабеля
из волокон на основе соединений фтора, указанно-
го в пункте I.12.5.4
 |
О компании | Продукты и услуги | Поддержка | Личный кабинет | Web-сервисы | Загрузить | База знаний
Copyright © ООО "Сигма-Софт", 1992-2026 |